Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 70 V, 67.4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiSS76LDN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
210-5018
メーカー型番:
SiSS76LDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

67.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

70V

シリーズ

SiSS76LDN

パッケージ型式

PowerPAK 1212

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22.3nC

最大許容損失Pd

57W

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

幅

3.4 mm

長さ

3.4mm

規格 / 承認

No

高さ

0.83mm

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 70 V （ D-S ） MOSFET は、 PowerPak 1212-8S パッケージタイプです。

Vishay N チャンネル 70 V （ D-S ） MOSFET は、 PowerPak 1212-8S パッケージタイプです。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

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