Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 70 V, 67.4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiSS76LDN-T1-GE3
- RS品番:
- 210-5018
- メーカー型番:
- SiSS76LDN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 210-5018
- メーカー型番:
- SiSS76LDN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 67.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 70V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212 | |
| シリーズ | SiSS76LDN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 22.3nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大許容損失Pd | 57W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.4mm | |
| 高さ | 0.83mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 67.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 70V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212 | ||
シリーズ SiSS76LDN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 22.3nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大許容損失Pd 57W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.4mm | ||
高さ 0.83mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay N チャンネル 70 V （ D-S ） MOSFET は、 PowerPak 1212-8S パッケージタイプです。
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）
最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み
100 % Rg及びUISテスト済み
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