型番

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 180 A エンハンスメント型, 表面パッケージTO-263

RS品番:: 258-3802
メーカー型番:: IPB180N10S403ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 180 A エンハンスメント型, 表面パッケージTO-263

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2000 - 9000	￥367.809	￥367,809
10000 - 14000	￥357.716	￥357,716
15000 - 19000	￥347.622	￥347,622
20000 +	￥337.528	￥337,528

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RS品番:: 258-3802
メーカー型番:: IPB180N10S403ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	180A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	シリーズ	iPB
	パッケージ型式	TO-263
	取付タイプ	表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3.3mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1V
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	108nC
	最大許容損失Pd	250W
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 180A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	シリーズ iPB
	パッケージ型式 TO-263
	取付タイプ表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.3mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1V
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 108nC
	最大許容損失Pd 250W
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - IPB180N10S403ATMA1

Infineon OptiMOS-T2パワートランジスタは、Nチャンネルノーマルレベル強化モードです。動作温度は175 °Cです。

AEC認定

MSL1: 最大260 °Cピークリフロー

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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