Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, -30 V, 70 A, 11 mΩ, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 258-3830
- メーカー型番:
- IPD068P03L3GATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 25000 - 35000 | ￥90.065 | ￥225,163 |
| 37500 - 47500 | ￥88.701 | ￥221,753 |
| 50000 + | ￥87.336 | ￥218,340 |
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- RS品番:
- 258-3830
- メーカー型番:
- IPD068P03L3GATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 70A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -30V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | IPD | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 11mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 70A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -30V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ IPD | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 11mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IPDシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧30V、最大連続ドレイン電流70A - IPD068P03L3GATMA1
このMOSFETは、コンパクトなアセンブリのNチャンネルスイッチング用に設計された表面実装パワートランジスタです。幅広い温度範囲で信頼性の高い動作を実現し、低導通損失と高電流処理が求められる用途に適しています。このデバイスはRoHS要件に適合し、効率的なプリント基板実装を目的としたTO-252パッケージで提供されます。
特長および利点：
• 11mΩ Rds(on)により、導通損失を低減
• 連続電流 70A により、高負荷用途に対応
• 最低動作温度-55°Cにより、コールドスタートの信頼性を実現
• 1.2Vの順方向電圧により、スイッチング効率を向上
• TO-252表面パッケージにより、熱接続を簡素化
• 連続電流 70A により、高負荷用途に対応
• 最低動作温度-55°Cにより、コールドスタートの信頼性を実現
• 1.2Vの順方向電圧により、スイッチング効率を向上
• TO-252表面パッケージにより、熱接続を簡素化
用途
• DC-DCコンバータ出力段に最適
• モータドライバハーフブリッジ回路に最適
• コンパクトレイアウトの電源と併用
• 高電流スイッチングモジュールに使用可能
• 基板レベルの配電に最適
• モータドライバハーフブリッジ回路に最適
• コンパクトレイアウトの電源と併用
• 高電流スイッチングモジュールに使用可能
• 基板レベルの配電に最適
このデバイスのチャンネル構成は何ですか?
ローサイドスイッチングに適したNチャンネル伝導モードを採用しています。
ボードにはどのような取り付けスタイルが必要ですか?
はんだ付けプリント基板取り付け用のTO-252パッケージで提供される表面実装コンポーネントです。
環境制限に適合していますか?
このコンポーネントはRoHS準拠で、制限された有害物質要件に準拠していることを示しています。
ドレインとソース間で許容できる最大電圧は?
最大ドレイン・ソース間電圧定格は-30Vです。
高電流用途に適していることを特定する特性とは?
11 mΩの低オン抵抗と70 Aの連続定格電流により、高負荷動作に対応する電気容量を実現します。
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