Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 30 V, 70 A, 6.8 mΩ, 131 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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RS品番:
825-9051
メーカー型番:
IPD042P03L3GATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

70A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

OptiMOS P

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

150W

順方向電圧 Vf

-1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

131nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

5.97mm

規格 / 承認

No

高さ

2.41mm

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

インフィニオン OptiMOS PシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 30V、最大連続ドレイン電流 70A - IPD042P03L3GATMA1


このMOSFETは、大電流処理能力と堅牢な熱動作範囲が求められる表面実装用途向けに設計されたPチャンネルエンハンスメントモードパワートランジスタです。電力変換・負荷制御回路の高性能スイッチングデバイスとして機能し、要求の厳しい電子システム向けに低い伝導損失と制御されたゲートドライブ動作を実現します。

特長:


• 6.8mΩ RDS(on)により、伝導損失を最小限に抑え、効率を向上
• 連続ドレイン電流 70A により、高負荷スイッチングをサポート
• 150Wの許容電力により、持続的な熱処理が可能
• 131nC の標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング挙動が可能
• -55°C~175°Cの動作範囲により高温での使用が可能
• VGS ±20V定格によりゲートドライブ電圧の柔軟性を確保

用途


• DC-DCコンバーターにおける同期整流に最適
• 電源における高電流負荷スイッチングに最適
• 低導電抵抗を必要とするモータードライバに使用
• バッテリー管理および保護回路に使用可能
• 高密度表面実装電源モジュールに適合

基板配置について検討する際、どのようなパッケージタイプを想定すべきでしょうか?


このデバイスは、3ピンのTO-252表面実装パッケージで提供され、コンパクトな基板配置とサーマルパッド配線を可能にします。

このデバイスは、動作中のゲートドライブ電圧にどのように対応しますか?


ゲート-ソース間の最大電圧は±20Vであるため、過負荷を防ぐためにゲートドライバはこの範囲内で選定する必要があります。

このトランジスタがブロックできる最大電圧は何ですか?


最大ドレイン-ソース間電圧30Vに対応し、低電圧電源システムに適しています。

導通時の順方向電圧に制限はありますか?


標準的な順方向電圧は-1.1Vで、回路設計における導通損失の計算に影響を及ぼします。

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