Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, -40 V, -50 A, 10.6 mΩ, 45 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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RS品番:
258-3843
メーカー型番:
IPD50P04P4L11ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

-50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-40V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

45nC

最大ゲートソース電圧Vgs

5V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

58W

順方向電圧 Vf

-1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

DIN IEC 68-1, RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon IPDシリーズMOSFET、ドレイン-ソース電圧40V、消費電力58W - IPD50P04P4L11ATMA2


このMOSFETは、表面実装アセンブリの高電流スイッチング用途向けのPチャンネルパワートランジスタです。幅広い周囲環境範囲で動作し、過酷な温度環境向けに設計されているため、耐熱性とコンパクトなパッケージが重要な用途に適しています。

特長および利点:


• 10.6mΩの低Rds(on)により、導通損失を低減
• -50Aの連続ドレイン電流により、高電流負荷に対応
• ゲート充電45nCにより、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 最大Vgs 5Vにより、安全なゲート駆動制限を実現
• TO-252表面実装により、コンパクトな基板レイアウトを実現

用途


• 自動車用配電モジュールに最適
• 高電流極性スイッチング回路に最適
• 拡張温度システムの熱管理に使用
• 車載電子機器のDC電源制御に使用可能

どのような極端な温度に耐えられますか?


定格動作温度範囲は-55°C~175°Cです。

どのようなパッケージと取り付けタイプを使用しますか?


表面実装用のTO-252パッケージで提供されます。

このデバイスは高出力条件下でどのように性能を発揮しますか?


最大58Wの消費電力を実現し、適切な熱管理で持続的な電力処理を可能にします。

ドレインソース間電圧とゲートドライブに制限はありますか?


このデバイスは、最大ドレインソース電圧-40V、最大ゲートソース5Vを指定しています。

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