型番

Infineon MOSFET, タイプPチャンネル -40 V, -50 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

RS品番:: 258-3843
メーカー型番:: IPD50P04P4L11ATMA2
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプPチャンネル -40 V, -50 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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個	単価	購入単位毎合計*
2500 - 2500	￥79.098	￥197,745
5000 - 22500	￥77.817	￥194,543
25000 - 35000	￥75.743	￥189,358
37500 - 47500	￥73.668	￥184,170
50000 +	￥71.586	￥178,965

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RS品番:: 258-3843
メーカー型番:: IPD50P04P4L11ATMA2
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	-50A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	-40V
	パッケージ型式	TO-252
	シリーズ	IPD
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	10.6mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	45nC
	最大許容損失Pd	58W
	最大ゲートソース電圧Vgs	5 V
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	-1V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	DIN IEC 68-1, RoHS
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id -50A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds -40V
	パッケージ型式 TO-252
	シリーズ IPD
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 10.6mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 45nC
	最大許容損失Pd 58W
	最大ゲートソース電圧Vgs 5 V
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf -1V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 DIN IEC 68-1, RoHS
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - IPD50P04P4L11ATMA2

Infineon OptiMOS-P2パワートランジスタは、スイッチング及び伝導電力損失が最小で、最高の熱効率を実現します。優れた品質と信頼性を備えた堅牢なパッケージです。

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