Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD60N10S412ATMA1
- RS品番:
- 258-3849
- メーカー型番:
- IPD60N10S412ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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- RS品番:
- 258-3849
- メーカー型番:
- IPD60N10S412ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | IPD | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 12.2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大許容損失Pd | 94W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 26nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ IPD | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 12.2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大許容損失Pd 94W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 26nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T2パワートランジスタは、Pチャンネルノーマルレベル強化モードです。動作温度は175 °Cです。
AEC認定
MSL1: 最大260 °Cピークリフロー
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