インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 60 A, 表面実装, 3 ピン, IPD60N10S4L12ATMA1

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梱包形態
RS品番:
222-4669
メーカー型番:
IPD60N10S4L12ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

60 A

最大ドレイン-ソース間電圧

100 V

パッケージタイプ

TO-252

シリーズ

OptiMOS™

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

0.012 Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

2.1V

1チップ当たりのエレメント数

1

トランジスタ素材

シリコン

InfineonのMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれます。MOSFETは「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略称です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

環境に優しい製品(RoHS準拠)
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