インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 60 A, 表面実装, 3 ピン, IPD60N10S4L12ATMA1
- RS品番:
- 222-4669
- メーカー型番:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 222-4669
- メーカー型番:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 60 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 100 V | |
| パッケージタイプ | TO-252 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.012 Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2.1V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| トランジスタ素材 | シリコン | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 60 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 100 V | ||
パッケージタイプ TO-252 | ||
シリーズ OptiMOS™ | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 0.012 Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 2.1V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
トランジスタ素材 シリコン | ||
InfineonのMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれます。MOSFETは「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略称です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。
環境に優しい製品(RoHS準拠)
MSL1 260℃までのピークリフロー、AEC Q101認定
OptiMOSTM - 自動車用途向けパワーMOSFET
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