Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD60N10S4L12ATMA1

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梱包形態
RS品番:
222-4669
メーカー型番:
IPD60N10S4L12ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

12mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

94W

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

38nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

高さ

2.3mm

長さ

6.5mm

規格 / 承認

No

幅

6.22 mm

自動車規格

AEC-Q101

InfineonのMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれます。MOSFETは「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略称です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

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