Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 60 A, 12 mΩ, 38 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 222-4669
- メーカー型番:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 222-4669
- メーカー型番:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 12mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 38nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 16V | |
| 最大許容損失Pd | 94W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.3mm | |
| 長さ | 6.5mm | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ OptiMOS | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 12mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 38nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 16V | ||
最大許容損失Pd 94W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.3mm | ||
長さ 6.5mm | ||
幅 6.22mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧100V、最大連続ドレイン電流60A - IPD60N10S4L12ATMA1
このMOSFETは、要求の厳しい電子パワーステージや自動車環境向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチです。広い温度範囲で動作し、堅牢なスイッチング性能と熱処理を必要とする表面実装アセンブリ向けです。
特長：
• 100 V ドレイン定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 60 Aの連続ドレイン電流により、高電流負荷に対応
• 12 mΩ Rds(on)により、電力経路での導通損失を低減
• 94Wの消費電力により、負荷下での耐熱性を向上
• 38 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 16 V最大ゲートドライブにより、柔軟なゲート電圧選択が可能
• 60 Aの連続ドレイン電流により、高電流負荷に対応
• 12 mΩ Rds(on)により、電力経路での導通損失を低減
• 94Wの消費電力により、負荷下での耐熱性を向上
• 38 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 16 V最大ゲートドライブにより、柔軟なゲート電圧選択が可能
用途
• AEC‐Q101準拠を必要とする自動車用電源コンバータに最適
• 輸送および産業システムのDC-DCコンバータに最適
• EVサブシステムのモータドライブハーフブリッジステージに使用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• サーマルプリント基板上のコンパクトな表面実装アセンブリと併用
• 輸送および産業システムのDC-DCコンバータに最適
• EVサブシステムのモータドライブハーフブリッジステージに使用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• サーマルプリント基板上のコンパクトな表面実装アセンブリと併用
動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか？
-55°C～175°Cで動作するように設計されており、高温環境での使用が可能です。
熱管理には、どのような梱包および取り付けに関する考慮事項が適用されますか?
TO‐252表面実装パッケージで提供され、基板実装の放熱と標準的なはんだリフローアタッチメントを容易にします。
デバイスのストレスを回避するために、どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
最大ゲート-ソース間電圧は16 Vで、ゲートドライブ回路はこれを超えてはならないため、ゲートの損傷を防止する必要があります。
どのようなチャンネル伝導モードとタイプを採用していますか?
ゲートドライブが適切な場合に、ローサイドおよびハイサイドスイッチングに適した強化モードNチャンネル構成を採用しています。
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