Infineon MOSFET, タイプPチャンネル -40 V, -73 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥207,157.50

(税抜)

￥227,872.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年4月01日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500￥82.863￥207,158
5000 - 22500￥82.037￥205,093
25000 - 35000￥80.369￥200,923
37500 - 47500￥78.708￥196,770
50000 +￥77.04￥192,600

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
258-3861
メーカー型番:
IPD70P04P409ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

-73A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-40V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

54nC

順方向電圧 Vf

-1V

最大許容損失Pd

75W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

DIN IEC 68-1, RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2パワートランジスタは、スイッチング及び伝導電力損失が最小で、最高の熱効率を実現します。優れた品質と信頼性を備えた堅牢なパッケージです。

ハイサイドドライブには充電ポンプは不要

シンプルなインターフェイスドライブ回路

最高電流容量

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ