Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, -40 V, -73 A, 8.9 mΩ, 54 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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RS品番:
258-3861
メーカー型番:
IPD70P04P409ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

-73A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-40V

シリーズ

IPD

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

75W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

54nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

-1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

DIN IEC 68-1, RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon IPDシリーズMOSFET、75W消費電力 -40Vドレイン・ソース間電圧 - IPD70P04P409ATMA2


このMOSFETは、要求の厳しい電気環境での表面実装用途向けに設計されたPチャンネルエンハンスメントモードパワートランジスタです。-55°C~175°Cの幅広い温度範囲で動作し、高電流処理とコンパクトな取り付けが必要な用途に適しています。このデバイスはRoHSに準拠し、車載グレードの電子機器で使用するための自動車試験規格AEC‐Q101に適合しています。

特長および利点:


• 8.9mΩ RDS(on)により、伝導損失を低減し、効率性を向上
• -73Aの連続ドレイン電流により、高電流要件に対応
• 75Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能
• 54 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現
• TO‐252パッケージにより、コンパクトな表面実装が容易

用途


• 自動車システムの高電流負荷スイッチングに最適
• 電源レールの逆極性保護に最適
• 車載用電子機器の電源管理回路に使用
• DC電源段での同期制御に使用可能
• 幅広い温度範囲で熱安定設計に最適

ドレインとソース間ではどのような定格電圧が適用されますか?


このデバイスの最大ドレイン‐ソース間電圧は-40 Vです。

損傷を防止するために、どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?


ゲート‐ソース間電圧は20 Vを超えてはならないため、ゲートストレスを防止します。

パッケージはプリント基板アセンブリにどのような影響を与えますか?


TO‐252表面実装フォームファクタは、標準的なはんだリフロープロセスとコンパクトな基板レイアウトをサポートします。

このデバイスは、動作中にどのような極端な熱に耐えられますか?


-55°C~175°Cまでの動作に対応し、幅広い耐熱性を発揮します。

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