Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 40 V, 205 A, 8ピン, パッケージ：WHSON
- RS品番:
- 260-1078
- メーカー型番:
- IQE013N04LM6SCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 リール(1リール6000個入り) 小計：*
￥1,095,600.00
(税抜)
￥1,205,160.00
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年3月11日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 6000 - 6000 | ￥182.60 | ￥1,095,600 |
| 12000 - 54000 | ￥180.317 | ￥1,081,902 |
| 60000 - 84000 | ￥178.024 | ￥1,068,144 |
| 90000 - 114000 | ￥175.732 | ￥1,054,392 |
| 120000 + | ￥173.439 | ￥1,040,634 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 260-1078
- メーカー型番:
- IQE013N04LM6SCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 205A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | IQE | |
| パッケージ型式 | WHSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 205A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ IQE | ||
パッケージ型式 WHSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon MOSFETは、サーマルパッドを介してソースポテンションを基板に接続することができます。これにより、熱性能の向上、高度な電力密度、レイアウトの可能性の向上など、さまざまな利点が得られます。また、アクティブ冷却要件の削減と、システムレベルでの利点となる熱管理の効果的なレイアウトも備えています。
基板損失の改善
最高の電力密度と性能を実現
優れた熱性能
レイアウトの可能性を最適化
関連ページ
- Infineon MOSFET 205 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージWHSON, IQE013N04LM6SCATMA1
- Infineon MOSFET 310 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージWHSON
- Infineon MOSFET 310 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージWHSON, IQE006NE2LM5SCATMA1
- Infineon MOSFET 99 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPG-WHSON-8, IQE046N08LM5SCATMA1
- Infineon MOSFET 151 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPG-WHSON-8, IQE022N06LM5SCATMA1
- Infineon MOSFET 205 A エンハンスメント型 9-Pin パッケージWHTFN
- Infineon MOSFET 205 A, 表面 パッケージTSON
- Infineon MOSFET 205 A エンハンスメント型 9-Pin パッケージWHTFN, IQE013N04LM6CGSCATMA1