型番

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 180 A 40 V, IPB180N04S400ATMA1 パッケージPG-TO263-3

RS品番:: 258-7759
メーカー型番:: IPB180N04S400ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

N

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 180 A 40 V, IPB180N04S400ATMA1 パッケージPG-TO263-3

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RS品番:: 258-7759
メーカー型番:: IPB180N04S400ATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

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詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	180A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	PG-TO263-3
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	±20 V
	最大許容損失Pd	300W
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	AEC, MSL1, RoHS

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 180A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 PG-TO263-3
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	最大許容損失Pd 300W
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 AEC, MSL1, RoHS

Datasheet - IPB180N04S400ATMA1

Infineon OptiMOSは、スイッチング及び伝導電力損失が最も低く、最高の熱効率を実現します。また、最適化された総ゲート充電により、小型ドライバ出力段階を実現します。

AEC認定

グリーン製品

超低Rdsオン

100 %アバランシェテスト済み

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