STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 10 A エンハンスメント型, 表面 パッケージテープ及びリール
- RS品番:
- 261-5045P
- メーカー型番:
- STD80N450K6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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個 | 単価 |
|---|---|
| 50 - 499 | ￥585 |
| 500 - 999 | ￥534 |
| 1000 - 1999 | ￥469 |
| 2000 + | ￥420 |
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- RS品番:
- 261-5045P
- メーカー型番:
- STD80N450K6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| パッケージ型式 | テープ及びリール | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 380mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 10A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
パッケージ型式 テープ及びリール | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 380mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17.3nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronicsの高電圧NチャンネルパワーMOSFETは、革新的な独自の垂直構造に基づいてMDmesh K5技術を使用して設計されています。これにより、優れた電力密度と高効率を必要とする用途において、オン抵抗と超低ゲート充電が劇的に削減されます。
世界最高のRDS(on) x エリア
世界最高のFOM(メリット数値)
超低ゲート充電
100 %アバランシェテスト済み
ツェナー保護