STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 20 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 261-5483P
- メーカー型番:
- STD65N160M9
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 261-5483P
- メーカー型番:
- STD65N160M9
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 20A | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 160mΩ | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 32nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 6.6 mm | |
| 長さ | 10.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 20A | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 160mΩ | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 32nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 6.6 mm | ||
長さ 10.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFETは、最も革新的なスーパージャンクションMDmesh M9技術に基づいており、エリアあたりのRDS(on)が非常に低い中 / 高電圧MOSFETに適しています。シリコンベースのM9テクノロジーには、マルチドレイン製造プロセスの利点があり、デバイス構造が強化されています。
高いVDSS定格
優れたスイッチング性能
運転が簡単
100 %アバランシェテスト済み
ツェナー保護