Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 35 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHB080N60E-GE3

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RS品番:
268-8289
メーカー型番:
SIHB080N60E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

35A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

SIHB

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.08Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

227W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

10.67mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
高速ボディダイオードと第4世代Eシリーズテクノロジーを備えたVishayパワーMOSFETは、スイッチング及び伝導損失を低減し、スイッチングモード電源、サーバー電源、パワーファクタ補正パワーサポートなどの用途で使用されています。

低有効静電容量

アバランシェ定格エネルギー

メリットの数字が低い

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