Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 29 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHB30N60E-GE3

ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥1,066.00

(税抜)

￥1,172.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 364 は海外在庫あり
  • 689 は 2026年1月02日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 - 1￥1,066
2 - 19￥1,010
20 - 29￥954
30 - 39￥898
40 +￥843

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
768-9310
メーカー型番:
SIHB30N60E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

29A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

E

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

125mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

250W

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

85nC

動作温度 Max

150°C

幅

9.65 mm

高さ

4.83mm

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

自動車規格

なし

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor


VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。

特長


低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg

低入力静電容量(Ciss)

低オン抵抗(RDS(on))

超低ゲート電荷(Qg)

高速スイッチング

スイッチング損失及び導電損失を低減

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ