型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 28 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SiHB28N60EF-GE3

RS品番:: 903-4504
メーカー型番:: SiHB28N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 28 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SiHB28N60EF-GE3

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個	単価	購入単位毎合計*
2 - 48	￥1,167.00	￥2,334
50 - 478	￥1,040.00	￥2,080
480 - 638	￥912.50	￥1,825
640 - 798	￥784.50	￥1,569
800 +	￥658.00	￥1,316

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RS品番:: 903-4504
メーカー型番:: SiHB28N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	28A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	600V
	パッケージ型式	TO-263
	シリーズ	EF
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	123mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	250W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	80nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	30 V
	動作温度 Max	150°C
	長さ	10.67mm
	幅	9.65 mm
	高さ	4.83mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 28A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V
	パッケージ型式 TO-263
	シリーズ EF
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 123mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 250W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 30 V
	動作温度 Max 150°C
	長さ 10.67mm
	幅 9.65 mm
	高さ 4.83mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

NチャンネルMOSFET (高速ダイオード搭載)、EFシリーズ、Vishay Semiconductor

逆回復時間、逆回復電荷、及び逆回復電流を低減

低性能指数(FOM)

低入力静電容量(Ciss)

低逆回復電荷により堅牢性を向上

超低ゲート電荷(Qg)

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 28 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SiHB28N60EF-GE3

NチャンネルMOSFET (高速ダイオード搭載)、EFシリーズ、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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