型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 28 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SiHB28N60EF-GE3

RS品番:: 903-4504
メーカー型番:: SiHB28N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 28 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SiHB28N60EF-GE3

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RS品番:: 903-4504
メーカー型番:: SiHB28N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	28A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	600V
	シリーズ	EF
	パッケージ型式	TO-263
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	123mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大許容損失Pd	250W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	80nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	30 V
	動作温度 Max	150°C
	長さ	10.67mm
	規格 / 承認	No
	高さ	4.83mm
	幅	9.65 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 28A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V
	シリーズ EF
	パッケージ型式 TO-263
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 123mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大許容損失Pd 250W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 30 V
	動作温度 Max 150°C
	長さ 10.67mm
	規格 / 承認 No
	高さ 4.83mm
	幅 9.65 mm
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

NチャンネルMOSFET (高速ダイオード搭載)、EFシリーズ、Vishay Semiconductor

逆回復時間、逆回復電荷、及び逆回復電流を低減

低性能指数(FOM)

低入力静電容量(Ciss)

低逆回復電荷により堅牢性を向上

超低ゲート電荷(Qg)

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 28 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SiHB28N60EF-GE3

￥3,000円を超える注文については、送料無料

NチャンネルMOSFET (高速ダイオード搭載)、EFシリーズ、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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