Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 34 A, 0.084 Ω, 63 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263

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梱包形態
RS品番:
268-8293
メーカー型番:
SIHB085N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

34A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

SIHB

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.084Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

184W

動作温度 Max

150°C

長さ

10.67mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay SIHBシリーズMOSFET、ドレインソース電圧650V、連続ドレイン電流34A - SIHB085N60EF-GE3


このMOSFETは、表面実装用途での電源スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネル半導体デバイスです。広い周囲温度範囲で動作し、大きなドレイン電流と高いドレインソース電圧能力を必要とする回路に適しています。このコンポーネントは、プリント基板実装電源ステージでの熱管理用のTO-263パッケージで提供されます。

特長：


• ドレイン-ソース間定格電圧 650V により、高電圧スイッチングに対応
• 34 Aの連続ドレイン電流により、重い負荷の処理をサポート
• 0.084Ω Rds(on)により、動作中の導通損失を低減
• 63nCの総ゲート電荷により、予測可能なゲートドライブ設計を実現
• 184Wの消費電力により、高電力密度レイアウトを実現
• Vgs 30 V制限により、堅牢なゲート電圧マージンに対応

用途


• 産業用電源の電源コンバータに最適
• 高電圧インバータスイッチングステージに最適
• モータドライブフロントエンドスイッチングトランジスタに使用
• 通信電源レール規制に使用可能
• スイッチモード電源プライマリスイッチに推奨

プリント基板の熱設計に役立つパッケージの利点は何ですか?


TO-263表面実装型は、大型サーマルパッドと金属製タブエリアを備え、基板への熱伝達と外部ヒートシンク配置を向上させます。

ゲート充電はドライブ回路の選択にどのように影響しますか?


63nCのゲート充電により、必要なドライバ電流とスイッチング損失を決定

ゲートドライバは、効率とEMIをバランスさせるために、必要な移行速度に十分な電流を供給してシンクする必要があります。

動作中に耐えられる温度範囲は？


このデバイスは、システム冷却によって定義された-55°C～150°Cのジャンクションまたは周囲温度で動作するように設計されており、過酷な熱環境での使用が可能です。

使用に関する規制制限はありますか?


このコンポーネントはRoHS指令に準拠しており、電子アセンブリに対する制限物質要件を満たしています。

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