Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 34 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHB085N60EF-GE3
- RS品番:
- 268-8293
- メーカー型番:
- SIHB085N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 268-8293
- メーカー型番:
- SIHB085N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 34A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | SIHB | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.084Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 63nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 184W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 34A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ SIHB | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.084Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 63nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 184W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 10.67mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay SIHBシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧650 V、最大連続ドレイン電流34 A - SIHB085N60EF-GE3
この高電圧NチャンネルMOSFETは、要求の厳しい産業および電子システムでの電源スイッチング用に設計されています。強化モードトランジスタとして機能し、堅牢な電圧処理と高い耐熱性を必要とする用途での表面実装アセンブリに適しています。このデバイスは、従来のゲートドライブレベルをサポートし、制御された伝導と迅速なスイッチングが必要な場所での使用を目的としています。
特長：
• 650 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 34 Aの連続ドレイン電流により、ヘビー負荷動作を実現
• 0.084Ω Rds(on)により、回路の導通損失を最小限に抑制
• 184 Wの消費電力により、持続的な熱負荷処理が可能
• スイッチング性能の最適化のための63nC標準ゲート充電
• 標準ゲートドライブ電圧をサポートする30 Vゲート許容差
• 34 Aの連続ドレイン電流により、ヘビー負荷動作を実現
• 0.084Ω Rds(on)により、回路の導通損失を最小限に抑制
• 184 Wの消費電力により、持続的な熱負荷処理が可能
• スイッチング性能の最適化のための63nC標準ゲート充電
• 標準ゲートドライブ電圧をサポートする30 Vゲート許容差
用途
• 高電圧SMPS一次側スイッチングに最適
• 産業用モータ駆動インバータステージに最適
• 力率補正フロントエンドスイッチに使用
• 高電圧リレーおよびコンタクタドライバ回路に使用可能
• 産業用モータ駆動インバータステージに最適
• 力率補正フロントエンドスイッチに使用
• 高電圧リレーおよびコンタクタドライバ回路に使用可能
どのような温度範囲で動作しますか？
-55 °Cまで最大150 °Cまで動作する定格で、幅広い熱環境で使用できます。
このパッケージは、組立工程にどのように適していますか?
このデバイスは、3ピン付きのTO-263表面実装パッケージで提供され、電源プリント基板の自動ハンダ取り付けと熱管理を容易にします。
ゲートドライブ要件の制限は何ですか?
最大許容ゲート-ソース間電圧は30 Vで、ゲートドライブ回路はこのしきい値内に保つように設計する必要があります。
このコンポーネントは、環境指令に準拠していますか?
RoHS要件に準拠し、構造に特定の制限物質が含まれていないことを示します。
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