Vishay Nチャンネル MOSFET850 V 5 A 表面実装パッケージTO-263 3 ピン

RS品番:: 268-8294
メーカー型番:: SIHB6N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay Nチャンネル MOSFET850 V 5 A 表面実装パッケージTO-263 3 ピン

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在庫切れ

単価：購入単位は50個

￥191.34

(税抜)

￥210.47

(税込)

個	単価	1チューブあたりの価格*
50 - 200	￥191.34	￥9,567.00
250 - 450	￥185.60	￥9,280.00
500 - 1200	￥175.72	￥8,786.00
1250 - 2450	￥170.78	￥8,539.00
2500 +	￥165.82	￥8,291.00

* 購入単位ごとの価格

RS品番:: 268-8294
メーカー型番:: SIHB6N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

Datasheet - SIHB6N80AE-GE3

その他

COO（原産国）:: CN

詳細情報

Vishay EシリーズパワーMOSFETは、スイッチング損失と導電損失が低く、スイッチングモード電源、サーバー電源、力率補正電源などの用途に使用されます。ESD保護用のツェナーダイオードを内蔵しています。

低有効静電容量
アバランシェ定格エネルギー
メリットの数字が低い

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

仕様

特性
チャンネルタイプ	N
最大連続ドレイン電流	5 A
最大ドレイン-ソース間電圧	850 V
パッケージタイプ	TO-263
実装タイプ	表面実装
ピン数	3
チャンネルモード	エンハンスメント型
トランジスタ素材	シリコン
1チップ当たりのエレメント数	4

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