Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 47 A, 0.052 Ω, 105 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12
- RS品番:
- 268-8304
- メーカー型番:
- SIHK045N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
取扱停止中
申し訳ありませんが、この商品の入荷は未定です。
- RS品番:
- 268-8304
- メーカー型番:
- SIHK045N60EF-T1GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 47A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 10 x 12 | |
| シリーズ | SIHK | |
| 取付タイプ | PCBマウント | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.052Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 278W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 105nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 9.9mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 47A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PowerPAK 10 x 12 | ||
シリーズ SIHK | ||
取付タイプ PCBマウント | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.052Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 278W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 105nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 9.9mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
高速ボディダイオードと第4世代Eシリーズテクノロジーを備えたVishayパワーMOSFETは、スイッチング及び伝導損失を低減し、スイッチングモード電源、サーバー電源、パワーファクタ補正パワーサポートなどの用途で使用されています。
低有効静電容量
アバランシェ定格エネルギー
メリットの数字が低い
関連ページ
- Vishay MOSFET 650 V 0.052 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12
- Vishay MOSFET 600 V 0.045 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12
- Vishay MOSFET 650 V 0.105 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12
- Vishay MOSFET 650 V 0.043 Ω 4ピン, パッケージ：PowerPAK SO-8
- Vishay パワーMOSFET 650 V 0.043 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12
- Vishay MOSFET 650 V 0.193 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12
- Vishay MOSFET 650 V 0.125 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12
- Vishay MOSFET 650 V 0.085 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 10 x 12