Vishay MOSFET, N チャネルチャンネル 650 V, 33 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP110N65SF-GE3

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RS品番:
735-263
メーカー型番:
SIHP110N65SF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

33A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

SF Series

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.115Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

313W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

83nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS Compliant

自動車規格

なし

COO（原産国）:
IL
VishayパワーMOSFETは、高度な電子システムでの効率的なエネルギー処理用に設計されています。低効果容量により、スイッチング損失と伝導損失を最小限に抑え、性能と信頼性を向上させます。アバランシェエネルギー定格と環境に優しいコンプライアンスにより、現代の用途向けに堅牢かつ持続可能な選択肢となっています。

スイッチング損失と伝導損失を低減し、性能を向上

耐久性に優れたアバランシェエネルギー定格

最適化された設計のための低いメリットを保証

環境基準に関するRoHS準拠を維持

ハロゲンフリー構造により、より安全に使用可能

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