Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 35 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP074N65E-GE3

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梱包形態
RS品番:
279-9924
メーカー型番:
SIHP074N65E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

35A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

SIHP

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.078Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

250W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay MOSFETは、EシリーズパワーMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

第4世代Eシリーズ技術

低メリット数値(FOM)ロン x Qg

低効果静電容量

アバランシェエネルギー定格

スイッチング及び伝導損失の削減

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