Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 4.7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-TO252-3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,264.00

(税抜)

￥1,390.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,490 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 40￥126.40￥1,264
50 - 90￥110.10￥1,101
100 - 240￥94.90￥949
250 - 990￥78.80￥788
1000 +￥62.80￥628

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
273-3010
メーカー型番:
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

PG-TO252-3

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-40°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

26W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon 600 VクールMOS PFD7スーパージャンクションMOSFETは、消費者用途向けに提供するクールMOS 7を補完します。これらの製品には、頑丈なデバイスを実現する高速ボディダイオードが内蔵されています。高速ボディダイオード及びInfineonの業界をリードするSMDパック

BOMコスト削減と簡単な製造

頑丈性と信頼性

設計の細かい調整に適した部品を簡単に選択可能

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ