Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 300 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSOF, IPT007N06NATMA1

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梱包形態
RS品番:
906-4407
メーカー型番:
IPT007N06NATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

300A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

OptiMOS 5

パッケージ型式

HSOF

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

216nC

順方向電圧 Vf

1V

最大許容損失Pd

375W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

10.58mm

10.1 mm

高さ

2.4mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 対象外

Infineon OptiMOS™5パワーMOSFET


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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