Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 600 V, 51 A, 0.084 Ω, 63 nC, 8ピン, パッケージ：8x8LR

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RS品番:
279-9928
メーカー型番:
SIHR080N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

51A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

8x8LR

シリーズ

E

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.084Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

500W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

8mm

自動車規格

なし

VishayシリーズEパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧600V、最大連続ドレイン電流51A - SIHR080N60E-T1-GE3


このパワーMOSFETは、表面実装用途における要求の厳しい電力変換およびスイッチング用途向けに設計された高電圧Nチャンネル強化デバイスです。高いブロッキング電圧、大きな連続電流容量、および一般的なドライブ回路に適したゲート定格電圧の組み合わせにより、限られたレイアウトでのコンパクトで高出力スイッチングを必要とするシステムに適しています。

特長：


• 600V ブロッキング機能により、高電圧システムの使用が可能
• 連続電流 51A により、高負荷に対応
• 0.084Ω Rds(on)により、動作中の導通損失を低減
• 500Wの消費電力により、持続的な高出力処理が可能
• 63nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 30Vのゲート定格により、過剰なゲート駆動電圧から保護

用途


• 高‑電圧スイッチ‑モード電源に最適
• 産業用モーター駆動フロントエンドに最適
• 再生可能エネルギーインバータステージに使用
• 力率補正回路に使用可能
• 中電力溶接および誘導加熱に最適

過酷な環境では、どの程度の温度範囲に対応できますか？


-55°C～150°Cで動作し、中程度の温度変化に対するディレーティングなしで幅広い熱条件下で使用できます。

このパッケージは、どのようにコンパクトなプリント基板設計をサポートしますか?


8ピン表面実装8x8LRフットプリントにより、十分な熱および電気接続を実現しながら、高密度基板配置を実現します。

伝導中の順方向電圧とその影響は?


標準的な順方向電圧は1.2 Vで、オン状態の電圧降下に影響を与えるため、熱および効率計算で考慮する必要があります。

このデバイスは自動車の仕様要件に適していますか?


自動車グレードとして指定されていないため、車載用電子機器に関する自動車特有規格に準拠しているとは考えられません。

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