Vishay MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 21 A, 0.157 Ω, 38 nC, 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 279-9925
- メーカー型番:
- SIHP155N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- SIHP155N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 21A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| シリーズ | SIHP | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.157Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 38nC | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 21A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
シリーズ SIHP | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.157Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 38nC | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SIHPシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧600V、最大連続ドレイン電流21A - SIHP155N60EF-GE3
このMOSFETは、高電圧スイッチングおよび電源用途向けに設計されたスルーホールNチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、従来のヒートシンクおよびパネル取り付けに適したTO-220ABパッケージで提供されます。このデバイスは、電圧容量と耐熱性の組み合わせが必要なディスクリートパワーステージおよびスイッチングトポロジに、堅牢な半導体を必要とするエンジニア向けです。
特長：
• ドレイン定格電圧 600V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 連続ドレイン電流 21A により、大きな負荷電流に対応
• 0.157Ωの低Rds(on)により、負荷時の伝導損失を低減
• 179 Wの消費電力により、高い熱負荷を実現
• 38 nCの標準ゲート電荷により、スイッチングエネルギーを管理可能
• 30Vのゲート許容差により、幅広いゲートドライブ電圧をサポート
• 連続ドレイン電流 21A により、大きな負荷電流に対応
• 0.157Ωの低Rds(on)により、負荷時の伝導損失を低減
• 179 Wの消費電力により、高い熱負荷を実現
• 38 nCの標準ゲート電荷により、スイッチングエネルギーを管理可能
• 30Vのゲート許容差により、幅広いゲートドライブ電圧をサポート
用途
• 主電源および高電圧インバータスイッチに最適
• 堅牢な熱マージンを必要とする電源と併用
• 産業用モーター駆動段階に最適
• 高電圧レール付きDC-DCコンバータに使用可能
• パワーエレクトロニクスの汎用スイッチングに使用
• 堅牢な熱マージンを必要とする電源と併用
• 産業用モーター駆動段階に最適
• 高電圧レール付きDC-DCコンバータに使用可能
• パワーエレクトロニクスの汎用スイッチングに使用
このデバイスは、動作中にどのような周囲温度に耐えられますか?
-55°C～150°Cで動作するように設計されており、過酷な熱環境でも使用できます。
このパッケージは熱管理にどのように役立ちますか?
TO-220ABフォーマットは、ヒートシンクに直接取り付けるための金属タブを備え、熱伝達を向上させ、高い放散性を実現します。
どのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?
最大ゲート-ソース間電圧は30 Vで、過度のストレスを回避するために、ゲートドライバをこの値に制限する必要があります。
このデバイスは一般的な材料制限に適合していますか?
構造において特定の有害物質を制限するRoHS要件に適合しています。
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