Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 21 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP155N60EF-GE3
- RS品番:
- 279-9925
- メーカー型番:
- SIHP155N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 本(1本50個入り) 小計:*
¥20,664.00
(税抜)
¥22,730.50
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 950 は 2026年6月22日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | ¥413.28 | ¥20,664 |
| 100 + | ¥370.98 | ¥18,549 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 279-9925
- メーカー型番:
- SIHP155N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 21A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| シリーズ | SIHP | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.157Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 38nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 21A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
シリーズ SIHP | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.157Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 38nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SIHPシリーズMOSFET、ドレインソース電圧600 V、連続ドレイン電流21 A - SIHP155N60EF-GE3
このMOSFETは、産業用および電子制御環境での電源スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。スルーホールTO-220パッケージのエンハンスメントモードデバイスとして動作し、ドレインソース電圧と熱耐性を必要とする用途に堅牢な電力処理を提供します。
特長:
• 600 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 21 Aの連続ドレイン電流により、高い負荷電流をサポート
• 0. 157 Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 179 Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能
• 38 nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現
• -55°C~150°Cの動作範囲により、過酷な温度条件に適合
• 21 Aの連続ドレイン電流により、高い負荷電流をサポート
• 0. 157 Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 179 Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能
• 38 nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現
• -55°C~150°Cの動作範囲により、過酷な温度条件に適合
用途
• 高電圧電源およびコンバータに最適
• 産業オートメーションのモーター駆動回路に最適
• 照明制御におけるスイッチモードパワーエレクトロニクスに使用
• 産業機器のインバータステージに使用可能
• 電源アセンブリの熱管理システムと併用
• 産業オートメーションのモーター駆動回路に最適
• 照明制御におけるスイッチモードパワーエレクトロニクスに使用
• 産業機器のインバータステージに使用可能
• 電源アセンブリの熱管理システムと併用
信頼性の高いスイッチングには、どのようなゲートドライブが必要ですか?
ゲート許容差は最大±30 Vであるため、ゲートドライバはこの制限を遵守し、制御されたスイッチング速度に対応する38 nCの標準ゲート電荷を充電するのに十分な駆動電流を提供する必要があります。
連続動作のために、熱管理をどのように配置する必要がありますか?
最大消費電力179 WとTO-220取り付けにより、デバイスを適切なヒートシンクに固定し、ジャンクション温度を-55°C~150°Cの動作範囲内で維持するための十分なエアフローを確保します。
設計時にはどのような電気的制限を遵守する必要がありますか?
このトランジスタは、デバイスの定格を超えないように、600 Vを超えるドレインソース電圧や21 Aを超える連続ドレイン電流にさらされないでください。
このデバイスは、基板またはシャーシの統合にどのようなパッケージと取り付けスタイルを使用しますか?
3ピンのスルーホールTO-220ABパッケージで提供されるため、確実なシャーシ取り付けとレガシー設計での簡単な交換が可能です。
関連ページ
- Vishay MOSFET 21 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP155N60EF-GE3
- 1 Vishay パワーMOSFET シングル 21 A 600 V SIHP21N60EF-GE3 パッケージJEDEC TO-220AB
- Vishay MOSFET 34 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP085N60EF-GE3
- Vishay MOSFET 22 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP150N60E-GE3
- Vishay MOSFET 47 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP054N65E-GE3
- Vishay MOSFET 35 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP074N65E-GE3
- Vishay MOSFET 33 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP110N65SF-GE3
- 1 Vishay パワーMOSFET シングル 21 A 600 V, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB
