Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 21 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP155N60EF-GE3

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RS品番:
279-9925
メーカー型番:
SIHP155N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

21A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

SIHP

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.157Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

179W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

38nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay SIHPシリーズMOSFET、ドレインソース電圧600 V、連続ドレイン電流21 A - SIHP155N60EF-GE3


このMOSFETは、産業用および電子制御環境での電源スイッチング用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。スルーホールTO-220パッケージのエンハンスメントモードデバイスとして動作し、ドレインソース電圧と熱耐性を必要とする用途に堅牢な電力処理を提供します。

特長:


• 600 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 21 Aの連続ドレイン電流により、高い負荷電流をサポート
• 0. 157 Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 179 Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能
• 38 nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現
• -55°C~150°Cの動作範囲により、過酷な温度条件に適合

用途


• 高電圧電源およびコンバータに最適
• 産業オートメーションのモーター駆動回路に最適
• 照明制御におけるスイッチモードパワーエレクトロニクスに使用
• 産業機器のインバータステージに使用可能
• 電源アセンブリの熱管理システムと併用

信頼性の高いスイッチングには、どのようなゲートドライブが必要ですか?


ゲート許容差は最大±30 Vであるため、ゲートドライバはこの制限を遵守し、制御されたスイッチング速度に対応する38 nCの標準ゲート電荷を充電するのに十分な駆動電流を提供する必要があります。

連続動作のために、熱管理をどのように配置する必要がありますか?


最大消費電力179 WとTO-220取り付けにより、デバイスを適切なヒートシンクに固定し、ジャンクション温度を-55°C~150°Cの動作範囲内で維持するための十分なエアフローを確保します。

設計時にはどのような電気的制限を遵守する必要がありますか?


このトランジスタは、デバイスの定格を超えないように、600 Vを超えるドレインソース電圧や21 Aを超える連続ドレイン電流にさらされないでください。

このデバイスは、基板またはシャーシの統合にどのようなパッケージと取り付けスタイルを使用しますか?


3ピンのスルーホールTO-220ABパッケージで提供されるため、確実なシャーシ取り付けとレガシー設計での簡単な交換が可能です。

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