型番

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 60.6 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR4409DP-T1-RE3

RS品番:: 279-9940
メーカー型番:: SIR4409DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 60.6 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR4409DP-T1-RE3

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250 - 995	￥169.60	￥848
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RS品番:: 279-9940
メーカー型番:: SIR4409DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	60.6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	シリーズ	SiR
	パッケージ型式	SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.009Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	126nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	59.5W
	動作温度 Max	150°C
	長さ	5.15mm
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP
	最大連続ドレイン電流Id 60.6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	シリーズ SiR
	パッケージ型式 SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.009Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 126nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 59.5W
	動作温度 Max 150°C
	長さ 5.15mm
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Vishay MOSFETはPチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

次世代パワーMOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

超低RDS x Qg FOM製品

完全鉛(鉛)フリーデバイス

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Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 60.6 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR4409DP-T1-RE3

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