型番

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 105 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR5211DP-T1-GE3

RS品番:: 279-9949
メーカー型番:: SIR5211DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 105 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR5211DP-T1-GE3

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RS品番:: 279-9949
メーカー型番:: SIR5211DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	105A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	パッケージ型式	SO-8
	シリーズ	SiR
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.0062Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	56.8W
	最大ゲートソース電圧Vgs	±20 V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	158nC
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	長さ	5.15mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 105A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 SO-8
	シリーズ SiR
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0062Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 56.8W
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 158nC
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	長さ 5.15mm
	自動車規格なし

Vishay MOSFETはPチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

完全鉛(鉛)フリーデバイス

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 105 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR5211DP-T1-GE3

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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