Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 227 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIRS4301DP-T1-GE3

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RS品番:
279-9959
メーカー型番:
SIRS4301DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

227A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SIRS

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0015Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

132W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

548nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

5mm

自動車規格

なし

Vishay MOSFETはPチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

消費電力を向上させ、RthJCを低減

完全鉛(鉛)フリーデバイス

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