Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 166 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8L, SQJ162EP-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
280-0019
メーカー型番:
SQJ162EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

166A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SO-8L

シリーズ

SQJ162EP

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.005Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

34nC

最大許容損失Pd

250W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

AEC-Q101

自動車規格

AEC-Q101

Vishay車載MOSFETはNチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

AEC-Q101認定

完全鉛(鉛)フリーデバイス

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