Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 178.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8S, SISS66DN-T1-GE3

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RS品番:
281-6039
Distrelec 品番:
301-56-785
メーカー型番:
SISS66DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

178.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8S

シリーズ

SIS

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00138Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

65.8W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

24.7nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

3.3mm

幅

3.3 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
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