型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 178.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8S, SISS66DN-T1-GE3

RS品番:: 281-6040
メーカー型番:: SISS66DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 178.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8S, SISS66DN-T1-GE3

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RS品番:: 281-6040
メーカー型番:: SISS66DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	178.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	PowerPAK 1212-8S
	シリーズ	SIS
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.00138Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	24.7nC
	最大許容損失Pd	65.8W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	幅	3.3 mm
	長さ	3.3mm
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 178.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 PowerPAK 1212-8S
	シリーズ SIS
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.00138Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 24.7nC
	最大許容損失Pd 65.8W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	幅 3.3 mm
	長さ 3.3mm
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

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Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 178.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8S, SISS66DN-T1-GE3

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