Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 27 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SISS23DN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
814-1314
メーカー型番:
SISS23DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

27A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

PowerPAK 1212

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

195nC

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

順方向電圧 Vf

-0.8V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

57W

動作温度 Max

150°C

幅

3.3 mm

長さ

3.3mm

規格 / 承認

No

高さ

0.78mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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