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Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 36.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージ1212-8S, SISS5623DN-T1-GE3

RS品番:: 280-0001
メーカー型番:: SISS5623DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 36.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージ1212-8S, SISS5623DN-T1-GE3

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60 - 96	￥347.00	￥1,388
100 - 236	￥298.25	￥1,193
240 - 996	￥248.75	￥995
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RS品番:: 280-0001
メーカー型番:: SISS5623DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	36.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	1212-8S
	シリーズ	SiSS5623DN
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.046Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	10.1nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	56.8W
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP
	最大連続ドレイン電流Id 36.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 1212-8S
	シリーズ SiSS5623DN
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.046Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10.1nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 56.8W
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Vishay MOSFETはPチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

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Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 36.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージ1212-8S, SISS5623DN-T1-GE3

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