2 Vishay MOSFET 分離式, タイプP, タイプPチャンネル, 135 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, SI1025X-T1-GE3 パッケージSC-89-6
- RS品番:
- 165-6899
- メーカー型番:
- SI1025X-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 165-6899
- メーカー型番:
- SI1025X-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 135mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SC-89-6 | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 8Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| 最大許容損失Pd | 250mW | |
| 順方向電圧 Vf | -1.4V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1.2mm | |
| 高さ | 0.6mm | |
| 長さ | 1.7mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 135mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SC-89-6 | ||
シリーズ TrenchFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 1.7nC | ||
最大許容損失Pd 250mW | ||
順方向電圧 Vf -1.4V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1.2mm | ||
高さ 0.6mm | ||
長さ 1.7mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- PH
Vishay Semiconductor デュアルPチャンネルMOSFET
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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