Vishay MOSFET, タイプP, タイプPチャンネル, 分離式, 60 V, 135 mA, 8 Ω, 1.7 nC, 6ピン, パッケージ：SC-89-6
- RS品番:
- 165-6899
- メーカー型番:
- SI1025X-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 165-6899
- メーカー型番:
- SI1025X-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプP | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 60 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 135 mA | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 8 Ω | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 1.7 nC | |
| ピン数 | 6 | |
| パッケージ型式 | SC-89-6 | |
| 自動車規格 | なし | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 (Vf) | -1.4 V | |
| 高さ | 600 μm | |
| 長さ | 1.7 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | -20 V, +20 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 250 mW | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1.2 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプP | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 60 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 135 mA | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 8 Ω | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 1.7 nC | ||
ピン数 6 | ||
パッケージ型式 SC-89-6 | ||
自動車規格 なし | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 (Vf) -1.4 V | ||
高さ 600 μm | ||
長さ 1.7 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) -20 V, +20 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 250 mW | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
シリーズ TrenchFET | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1.2 mm | ||
- COO（原産国）:
- PH
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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