STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB100NF04T4
- RS品番:
- 687-5093P
- メーカー型番:
- STB100NF04T4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
ボリュームディスカウント対象商品
50個小計 (リールカット)*
￥25,700.00
(税抜)
￥28,270.00
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 1,612 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 |
|---|---|
| 50 - 478 | ￥514.00 |
| 480 - 638 | ￥463.50 |
| 640 - 798 | ￥412.50 |
| 800 + | ￥362.00 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 687-5093P
- メーカー型番:
- STB100NF04T4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 120A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | STripFET II | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 110nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 300W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 4.6mm | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 幅 | 9.35 mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 120A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ STripFET II | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 110nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 300W | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 4.6mm | ||
長さ 10.4mm | ||
幅 9.35 mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
NチャンネルSTripFET™ II、STMicroelectronics
広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。