Vishay MOSFETトランジスタ, N, Pチャンネル, 5.4 A, 表面実装, 8 ピン, SI7501DN-T1-E3
- RS品番:
- 699-7345
- メーカー型番:
- SI7501DN-T1-E3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
取扱終了
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- RS品番:
- 699-7345
- メーカー型番:
- SI7501DN-T1-E3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N, P | |
| 最大連続ドレイン電流 | 5.4 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V | |
| パッケージタイプ | PowerPAK 1212 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 35 m Ω 、 51 m Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1V | |
| 最大パワー消費 | 1600 mW | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -25 V、-20 V、+20 V、+25 V | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V、9 nC @ 10 V | |
| 幅 | 3.05mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 長さ | 3.05mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 1.04mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N, P | ||
最大連続ドレイン電流 5.4 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 30 V | ||
パッケージタイプ PowerPAK 1212 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 35 m Ω 、 51 m Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最低ゲートしきい値電圧 1V | ||
最大パワー消費 1600 mW | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -25 V、-20 V、+20 V、+25 V | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 12.5 nC @ 10 V、9 nC @ 10 V | ||
幅 3.05mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
長さ 3.05mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 1.04mm | ||
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor