Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 1.5 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-323, Si1308EDL-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥1,193.00

(税抜)

￥1,312.25

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 400 は海外在庫あり
  • 12,125 は 2026年1月27日 に入荷予定（最終入荷）
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 125￥47.72￥1,193
150 - 1350￥41.72￥1,043
1375 - 1725￥35.80￥895
1750 - 2225￥29.80￥745
2250 +￥23.88￥597

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
787-9121
メーカー型番:
Si1308EDL-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

1.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

Si1308EDL

パッケージ型式

SOT-323

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.185Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±12 V

最大許容損失Pd

0.5W

順方向電圧 Vf

0.8V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1.4nC

動作温度 Max

150°C

高さ

1mm

幅

1.35 mm

規格 / 承認

Lead (Pb)-Free

長さ

2.2mm

自動車規格

なし

NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ