Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 2.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-223, BSP320SH6327XTSA1

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梱包形態
RS品番:
753-2810
メーカー型番:
BSP320SH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

2.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

SIPMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

120mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

1.8W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.95V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9.7nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

6.5mm

高さ

1.6mm

幅

3.5 mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® NチャンネルMOSFET


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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