Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 250 V, 430 mA エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223, BSP317PH6327XTSA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,020.00

(税抜)

￥1,122.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 6,430 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 40￥102.00￥1,020
50 - 440￥92.00￥920
450 - 590￥83.10￥831
600 - 790￥73.10￥731
800 +￥63.10￥631

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
753-2813
メーカー型番:
BSP317PH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

430mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

250V

シリーズ

SIPMOS

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

1.8W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11.6nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.5mm

規格 / 承認

No

幅

3.5 mm

高さ

1.6mm

自動車規格

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-35-440

Infineon SIPMOS® PチャンネルMOSFET


Infineon SIPMOS®小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。

· AEC Q101適合(データシートを参照してください)

· 無鉛めっき、RoHS対応

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ