STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 550 V, 13 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, STP18N55M5
- RS品番:
- 760-9663P
- メーカー型番:
- STP18N55M5
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
ボリュームディスカウント対象商品
2個小計 (スティック詰め)*
￥1,148.00
(税抜)
￥1,262.80
(税込)
在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください
個 | 単価 |
|---|---|
| 2 - 19 | ￥574 |
| 20 - 29 | ￥563 |
| 30 - 39 | ￥551 |
| 40 + | ￥534 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 760-9663P
- メーカー型番:
- STP18N55M5
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 13A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 550V | |
| シリーズ | MDmesh M5 | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 240mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 31nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 90W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 高さ | 15.75mm | |
| 幅 | 4.6 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 13A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 550V | ||
シリーズ MDmesh M5 | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 240mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 31nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 90W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25 V | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.4mm | ||
高さ 15.75mm | ||
幅 4.6 mm | ||
自動車規格 なし | ||
STMicroelectronics N チャンネル MDmesh ™ M5 シリーズ
MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。