STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 55 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 761-0405P
- メーカー型番:
- STB55NF06LT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 761-0405P
- メーカー型番:
- STB55NF06LT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 55A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | STripFET II | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 20mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 27nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 16 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 最大許容損失Pd | 95W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 10.4 mm | |
| 長さ | 10.75mm | |
| 高さ | 4.6mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 55A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ STripFET II | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 20mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 27nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 16 V | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
最大許容損失Pd 95W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 10.4 mm | ||
長さ 10.75mm | ||
高さ 4.6mm | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルSTripFET™ II、STMicroelectronics
広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。