2 onsemi パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 4.1 A, 表面 20 V, 8-Pin エンハンスメント型, NTHD4102PT1G パッケージChipFET
- RS品番:
- 780-0589
- メーカー型番:
- NTHD4102PT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 780-0589
- メーカー型番:
- NTHD4102PT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | ChipFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 170mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| 最大許容損失Pd | 2.1W | |
| 順方向電圧 Vf | -0.8V | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 長さ | 3.1mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 ChipFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 170mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min 150°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7.6nC | ||
最大許容損失Pd 2.1W | ||
順方向電圧 Vf -0.8V | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max -55°C | ||
長さ 3.1mm | ||
高さ 1.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
デュアルPチャンネルMOSFET、ON Semiconductor
MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor
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