2 onsemi パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 4.1 A, 表面 20 V, 8-Pin エンハンスメント型, NTHD4102PT1G パッケージChipFET

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梱包形態
RS品番:
780-0589
メーカー型番:
NTHD4102PT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

4.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

ChipFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

170mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.6nC

動作温度 Min

150°C

順方向電圧 Vf

-0.8V

最大許容損失Pd

2.1W

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

-55°C

長さ

3.1mm

規格 / 承認

No

幅

1.7 mm

高さ

1.1mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

デュアルPチャンネルMOSFET、ON Semiconductor


MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor


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