型番

2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 3.8 A, 表面 20 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI5935CDC-T1-GE3 パッケージChipFET

RS品番:: 818-1352
メーカー型番:: SI5935CDC-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 3.8 A, 表面 20 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI5935CDC-T1-GE3 パッケージChipFET

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RS品番:: 818-1352
メーカー型番:: SI5935CDC-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	3.8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	パッケージ型式	ChipFET
	シリーズ	TrenchFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	156mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	7nC
	動作温度 Min	150°C
	最大許容損失Pd	3.1W
	最大ゲートソース電圧Vgs	8 V
	トランジスタ構成	分離式
	動作温度 Max	-55°C
	幅	1.7 mm
	長さ	3.1mm
	規格 / 承認	No
	高さ	1.1mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプタイプP
	最大連続ドレイン電流Id 3.8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 ChipFET
	シリーズ TrenchFET
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 156mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7nC
	動作温度 Min 150°C
	最大許容損失Pd 3.1W
	最大ゲートソース電圧Vgs 8 V
	トランジスタ構成分離式
	動作温度 Max -55°C
	幅 1.7 mm
	長さ 3.1mm
	規格 / 承認 No
	高さ 1.1mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 3.8 A, 表面 20 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI5935CDC-T1-GE3 パッケージChipFET

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デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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