2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 3.8 A, 表面 20 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージChipFET

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RS品番:
919-4325
メーカー型番:
SI5935CDC-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

3.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

ChipFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

156mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

3.1W

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

動作温度 Min

150°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7nC

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

幅

1.7 mm

長さ

3.1mm

規格 / 承認

No

高さ

1.1mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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