2 onsemi MOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 880 mA, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, NTJD4152PT1G パッケージSOT-363

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梱包形態
RS品番:
780-0611
メーカー型番:
NTJD4152PT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

880mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

SOT-363

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.2nC

順方向電圧 Vf

-0.8V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

350mW

最大ゲートソース電圧Vgs

±12 V

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

分離式

規格 / 承認

No

長さ

2.2mm

高さ

1mm

幅

1.35 mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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