型番

2 onsemi MOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 880 mA, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, NTJD4152PT1G パッケージSOT-363

RS品番:: 780-0611
メーカー型番:: NTJD4152PT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

2 onsemi MOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 880 mA, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, NTJD4152PT1G パッケージSOT-363

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RS品番:: 780-0611
メーカー型番:: NTJD4152PT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	880mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	パッケージ型式	SOT-363
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	350mW
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	2.2nC
	順方向電圧 Vf	-0.8V
	動作温度 Max	150°C
	トランジスタ構成	分離式
	高さ	1mm
	規格 / 承認	No
	長さ	2.2mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 880mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 SOT-363
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 350mW
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2.2nC
	順方向電圧 Vf -0.8V
	動作温度 Max 150°C
	トランジスタ構成分離式
	高さ 1mm
	規格 / 承認 No
	長さ 2.2mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

デュアルPチャンネルMOSFET、ON Semiconductor

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