2 onsemi MOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 880 mA, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージSOT-363
- RS品番:
- 163-1117
- メーカー型番:
- NTJD4152PT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 163-1117
- メーカー型番:
- NTJD4152PT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 880mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | SOT-363 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | -0.8V | |
| 最大許容損失Pd | 350mW | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 2.2nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 2.2mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 880mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 SOT-363 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf -0.8V | ||
最大許容損失Pd 350mW | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2.2nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 2.2mm | ||
高さ 1mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
デュアルPチャンネルMOSFET、ON Semiconductor
MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor
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