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MOSFET・モスフェット
Infineon Nチャンネル MOSFETトランジスタ60 V 195 A、270 A 表面実装 パッケージD2PAK 3 ピン
RS品番:
784-9240
メーカー型番:
AUIRLS3036
メーカー/ブランド名:
Infineon
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取扱終了
代替品 / 類似品
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Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 195 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
RS品番
820-8873
単価: 購入単位は2個
¥490.00
(税抜)
¥539.00
(税込)
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 295 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
RS品番
907-5126
単価: 購入単位は4個
¥657.25
(税抜)
¥722.97
(税込)
RS品番:
784-9240
メーカー型番:
AUIRLS3036
メーカー/ブランド名:
Infineon
データシート
その他
詳細情報
仕様
AUIRLS3036 HEXFET Power MOSFET Data Sheet
RoHSステータス: 適合
COO(原産国):
MX
Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V
Infineon のディスクリート HEXFET ® パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
195 A、270 A
最大ドレイン-ソース間電圧
60 V
パッケージタイプ
D2PAK
実装タイプ
表面実装
ピン数
3
最大ドレイン-ソース間抵抗
3 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
2.5V
最低ゲートしきい値電圧
1V
最大パワー消費
380 W
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-16 V, +16 V
1チップ当たりのエレメント数
1
幅
9.65mm
標準ゲートチャージ @ Vgs
91 nC @ 10 V
長さ
10.67mm
動作温度 Max
+175 °C
高さ
4.83mm
動作温度 Min
-55 °C
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