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ディスクリート・ディスクリート半導体
MOSFET・モスフェット
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 210 A スルーホール パッケージPLUS264 3 ピン
RS品番:
802-4357P
メーカー型番:
IXFB210N30P3
メーカー/ブランド名:
IXYS
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12 - 15
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16 - 19
¥3,620.00
20 +
¥3,500.00
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プロダクションパッケージ(返品不可)
RS品番:
802-4357P
メーカー型番:
IXFB210N30P3
メーカー/ブランド名:
IXYS
データシート
その他
詳細情報
仕様
IXFB210N30P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFETs, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Polar3™シリーズ
IXYS Polar3™シリーズのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET™)
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
210 A
最大ドレイン-ソース間電圧
300 V
パッケージタイプ
PLUS264
シリーズ
HiperFET, Polar3
実装タイプ
スルーホール
ピン数
3
最大ドレイン-ソース間抵抗
14.5 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
5V
最大パワー消費
1.89 kW
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-20 V, +20 V
トランジスタ素材
Si
1チップ当たりのエレメント数
1
標準ゲートチャージ @ Vgs
268 nC @ 10 V
長さ
20.29mm
動作温度 Max
+150 °C
幅
5.31mm
動作温度 Min
-55 °C
高さ
26.59mm