Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル, 40 V, 20.5 A, 0.009 Ω, 21 nC, 8ピン, パッケージ：SOIC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥2,578.00

(税抜)

￥2,835.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 2,200 は海外在庫あり（最終在庫）

個
単価
購入単位毎合計*
10 - 140￥257.80￥2,578
150 - 1190￥231.60￥2,316
1200 - 1590￥205.40￥2,054
1600 - 1990￥178.30￥1,783
2000 +￥152.30￥1,523

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
812-3195
メーカー型番:
SI4124DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

20.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.009Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

21nC

最大許容損失Pd

5.7W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

IEC 61249-2-21

長さ

5mm

高さ

1.55mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。