Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 20.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, SI4124DY-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
812-3195
メーカー型番:
SI4124DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

20.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.009Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

21nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

5.7W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Max

150°C

幅

4 mm

高さ

1.55mm

長さ

5mm

規格 / 承認

IEC 61249-2-21

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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