2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 6.5 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4909DY-T1-GE3 パッケージSOIC

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梱包形態
RS品番:
818-1302
メーカー型番:
SI4909DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

6.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

34mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

3.2W

動作温度 Min

150°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41.5nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

-55°C

規格 / 承認

No

長さ

5mm

高さ

1.55mm

幅

4 mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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