2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 6.5 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, SI4909DY-T1-GE3 パッケージSOIC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋20個入り) 小計：*

￥2,990.00

(税抜)

￥3,289.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 4,940 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
20 - 100￥149.50￥2,990
120 - 1180￥134.75￥2,695
1200 - 1580￥120.10￥2,402
1600 - 1980￥104.10￥2,082
2000 +￥89.45￥1,789

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
818-1302
メーカー型番:
SI4909DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

34mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41.5nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

3.2W

動作温度 Min

150°C

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

高さ

1.55mm

長さ

5mm

幅

4 mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ