Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 35 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8, SIS415DNT-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
814-1304
メーカー型番:
SIS415DNT-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

35A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8

シリーズ

TrenchFET Gen III

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0095Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

52W

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

55.5nC

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

幅

3.4 mm

高さ

0.8mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

3.4mm

自動車規格

なし

PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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